我們不斷縮小硅基處理器功能帶來(lái)的可能性似乎已成為過去時(shí),材料科學(xué)家如今正在考慮如何制造新型芯片,突破硅芯片的種種限制。在這個(gè)過程中
我們不斷縮小硅基處理器功能帶來(lái)的可能性似乎已成為過去時(shí),材料科學(xué)家如今正在考慮如何制造新型芯片,突破硅芯片的種種限制。在這個(gè)過程中,碳納米管成為了一個(gè)重要的選擇,它自然地以半導(dǎo)體形式存在,具有出色的電性能,并且非常小。但此前,大多研究人員都發(fā)現(xiàn)——制造芯片時(shí),要將納米管這種“挑剔”的材料放到“正確”的位置,操作簡(jiǎn)直太難了!
不過,最近來(lái)自MIT的研究人員和ADI公司的科學(xué)家聯(lián)手創(chuàng)造了奇跡——他們成功打造出一個(gè)完全由碳納米晶體管構(gòu)成的16位微處理器,它包含了14000多個(gè)碳納米管(CNT)晶體管。史上最大的碳納米管計(jì)算機(jī)芯片終于問世!
(圖源:MIT)
“Hello, World!I am RV16XNano, made from CNTs.”“你好,世界!我是RV16XNano,由碳納米管制成。”這句話是最新芯片執(zhí)行的一項(xiàng)程序,它用這種方式,和世界宣告了自己的誕生!
目前,這一成果已經(jīng)發(fā)表在《自然》(Nature)上。在8月29日發(fā)表的論文中,《自然》對(duì)這一原型進(jìn)行了描述,它尚未像商用硅器件那樣快速或小巧,但碳納米管計(jì)算機(jī)芯片最終可能會(huì)產(chǎn)生新一代更快、更節(jié)能的電子產(chǎn)品。該研究的第一作者為Gage Hills(博士后研究員)和Christian Lau(碩士研究生,負(fù)責(zé)制造),通訊作者為Max M. Shulaker(助理教授)——都來(lái)自MIT。
用與硅相同的制作工藝,研究人員和科學(xué)家們“馴服”了碳納米管,使之脫胎成為具有完整架構(gòu)的芯片。這證明可以完全由碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管(CNFET)打造超越硅的微處理器,其設(shè)計(jì)和制造方法克服了之前與碳納米管相關(guān)的挑戰(zhàn),有望為先進(jìn)微電子裝置中的硅帶來(lái)一種高效能的替代品。那么,他們的“破局奧秘”關(guān)鍵在什么?
第一個(gè)解決關(guān)節(jié)是厘清納米管的“混亂”狀態(tài)。研究人員制造的硅表面具有足夠大的金屬特征,可以保證幾個(gè)納米管通常能夠彌合金屬之間的間隙,而不是試圖在每個(gè)需要的位置放置一根管子。為了去除聚集體,他們?cè)诩{米管頂部沉積了一層材料,然后通過超聲將其破碎。這種材料帶有聚集體,但它使納米管的下層不受干擾。
“獲得最純凈的碳納米管組的最佳方法是將它們以溶液形式存在,”Shulaker的研究生助理之一Christian Lau表示。因此,該團(tuán)隊(duì)將熔化后的納米管放入溶液中,將“金屬”納米管與半導(dǎo)體納米管分開。然后施加聚合物以幫助去除掉進(jìn)一步的缺陷。
一旦納米管分離,它們就可以放置在基板上——將它們保持在適當(dāng)位置的表面——并構(gòu)建成一枚功能完備的芯片。基板上的納米管分組,可以集成在一起以構(gòu)建更大的器件。
這不是第一個(gè)要制造的碳納米管微處理器,但它是最復(fù)雜的。例如,先前的器件具有178個(gè)晶體管。而這個(gè)16位芯片有超過14,000個(gè)。想想現(xiàn)代計(jì)算機(jī)處理器內(nèi)部有數(shù)十億個(gè)晶體管,即使在智能手機(jī)芯片中也是如此——因此碳納米管仍有很長(zhǎng)的路要走。
但由于其緊湊的尺寸,納米管計(jì)算組件可以與線路上的硅組件集成,從而提高速度并縮小芯片的尺寸。碳納米管也可以在較低溫度下被推入超導(dǎo)狀態(tài),這可能使它們比硅更節(jié)能。
接下來(lái),為了將納米管限制在需要的地方——也就是“精準(zhǔn)植入”,研究人員只需將大部分納米管蝕刻掉,只留下需要的地方。然后,他們?cè)诩{米管頂部添加了可變的氧化物層。氧化物的精確性質(zhì)與用于連接的不同金屬相結(jié)合,可以根據(jù)需要將納米管轉(zhuǎn)化為p型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)或n型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)。雖然這個(gè)過程更類似于摻雜一個(gè)恰好含有納米管的區(qū)域,但它可以有效地控制各個(gè)聯(lián)結(jié)點(diǎn)的行為。
為了實(shí)現(xiàn)這一里程碑,作者需要開發(fā)一種可行的納米管——晶體管技術(shù),把對(duì)碳納米管嚴(yán)格的純度要求放寬了大約1萬(wàn)倍,這意味著純度達(dá)到99.99%即可制作芯片,這在目前的技術(shù)下是可行的。該技術(shù)提供兩種晶體管:p型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)和n型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)。在數(shù)字電子學(xué)中,計(jì)算被分成一系列基本(邏輯)操作,這些操作由稱為邏輯電路的組件執(zhí)行。電子工業(yè)中這些電路的當(dāng)前設(shè)計(jì)基于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù),其需要PMOS和NMOS晶體管。
(圖源:Nature)
當(dāng)負(fù)(或正)電壓施加到稱為柵極的電極時(shí),PMOS(或NMOS)晶體管導(dǎo)通。該電極控制兩個(gè)其他電極(源極和漏極)之間的溝道(在這種情況下,由碳納米管形成)的導(dǎo)電性。當(dāng)PMOS晶體管和NMOS晶體管串聯(lián)互連時(shí),結(jié)果是稱為反相器的元件。如果向這樣的逆變器施加低電壓,則輸出電壓將變高,反之亦然。這個(gè)元素是Hills和同事計(jì)算機(jī)中使用的所有邏輯電路的基本組成部分。
(圖源:Nature)
研究人員通過在基板上形成隨機(jī)分布的高純度(99.99%)半導(dǎo)體納米管網(wǎng)絡(luò)來(lái)制造晶體管。形成過程類似于將一碗煮熟的意大利式細(xì)面條倒在表面上,然后去除所有不與表面直接接觸的股線。結(jié)果是基底上覆蓋有大致單層的隨機(jī)取向的納米管。
然后將金屬沉積在納米管上以將它們連接到源極和漏極。這種金屬的功函數(shù)(從表面去除電子所需的能量)取決于器件是PMOS還是NMOS晶體管。作者用精心挑選和修剪的氧化物材料覆蓋了每個(gè)納米管的其余部分,以將納米管與周圍環(huán)境隔離并調(diào)整其性質(zhì)。原則上,基板不需要由硅制成;它只需要平坦。此外,由于處理在相對(duì)低的溫度(約200-325℃)下進(jìn)行,因此可以容易地堆疊其他功能層。
具體而言,RV16XNano的面世三個(gè)內(nèi)在的挑戰(zhàn):材料缺陷(無(wú)法控制直徑導(dǎo)致的金屬混雜)、制造缺陷(CNT聚集體導(dǎo)致成品失效)和可變性(實(shí)現(xiàn)CNT CMOS的技術(shù)面臨一系列限制)。
從晶體管到芯片
由此制造的元件被稱作碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管(CNFET),與金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)類似,它是構(gòu)建下一代計(jì)算機(jī)的基本單元。
雖然芯片的功能單元執(zhí)行添加兩個(gè)數(shù)字的操作,但這些單元由較小邏輯門的集合構(gòu)成。通過CNFET的組合可以構(gòu)造出邏輯門。這些邏輯門執(zhí)行簡(jiǎn)單的功能:NOT時(shí)就跳過一些值,而AND時(shí)產(chǎn)生值為“1”(當(dāng)兩個(gè)輸入值都是“1”時(shí))。通常有多種方法來(lái)構(gòu)造這些邏輯門以形成相同的功能單元。因此,可以使用5個(gè)AND和7個(gè)NOR的正確排列來(lái)添加兩個(gè)數(shù)字,也可以使用6個(gè)NOT和4個(gè)NAND來(lái)完成。 (注意:這些數(shù)字完全可以相互彌合。)
研究人員關(guān)鍵的一個(gè)概念出發(fā)點(diǎn)在于——某些邏輯功能對(duì)金屬納米管的敏感度低于其他功能。因此,他們修改了一個(gè)開源RISC設(shè)計(jì)工具來(lái)考慮這些信息。結(jié)果就是,在芯片設(shè)計(jì)除去了對(duì)金屬碳納米管最敏感的柵極。
由此產(chǎn)生的芯片稱為RV16X-NANO,該芯片旨在處理RISC-V架構(gòu)的32位長(zhǎng)指令。存儲(chǔ)器尋址限制為16位,功能單元包括指令獲取,解碼,寄存器,執(zhí)行單元和寫回存儲(chǔ)器??傮w來(lái)看,RV16X-NANO使用了超過14,000個(gè)單獨(dú)的晶體管,并且碳納米管的操作使得它們產(chǎn)生100%的產(chǎn)率。換句話說,這14,000個(gè)晶體管中的每一個(gè)都有效,沒有一個(gè)報(bào)廢。
它也被認(rèn)為是一款“3D芯片”,因?yàn)榧{米管層下面的金屬觸點(diǎn)用于在不同晶體管之間交流信號(hào),而在納米管上方分層的單獨(dú)金屬觸點(diǎn)層用于在芯片內(nèi)供電。
(圖源:MIT)
最值得點(diǎn)贊的是,這個(gè)做法居然很奏效!從上圖中可以看出,它成功地執(zhí)行了傳統(tǒng)“Hello World”程序的變體,該程序通常用作對(duì)不同編程語(yǔ)言語(yǔ)法的簡(jiǎn)單介紹。
需要改進(jìn)的地方
在他們的論文中,研究人員專注于改善現(xiàn)有設(shè)計(jì)的所有方法。例如,溝道長(zhǎng)度是由納米管橋接的金屬觸點(diǎn)之間的距離。該長(zhǎng)度有助于設(shè)置周期速度——對(duì)于RV16X-NANO,周期速度僅為10kHz。金屬觸點(diǎn)也必須非常寬,以確保有足夠的納米管橋連接它們。理論上我們知道兩者都有可能改進(jìn),并且通過這種方法提高周期速度是一個(gè)明確的選擇。
但由于這種設(shè)計(jì)需要加入金屬納米管,因此每個(gè)晶體管總是需要多個(gè)納米管。該設(shè)計(jì)還需要足夠?qū)?,使得具有一些處于不良取向的納米管仍將留下足夠的空間以供其他人形成功能性接觸。這意味著功能必然會(huì)比我們想要的更大,并且需要更長(zhǎng)時(shí)間才能在狀態(tài)之間切換。
想要通過架構(gòu)解決金屬納米管的晶體管數(shù)量瓶頸,也面臨著高成本的風(fēng)險(xiǎn),盡管這可能根據(jù)給定功能單元的目的而變化。
這些問題有不同的解決路徑去探討。這個(gè)過程沒有任何阻止納米管長(zhǎng)度縮短的過程,這會(huì)導(dǎo)致周期速度的增加;這是研究人員可以立即嘗試的東西。如果我們能想出一種制造純半導(dǎo)體納米管源的方法,其他一些問題就會(huì)自行解決。這顯然是人們正在努力的事情,但在問題得到解決之前,這種設(shè)計(jì)仍將面臨“天花板”。
這其中最終的目標(biāo)是制造單納米管晶體管,這需要能夠控制它們?cè)谛酒系奈恢谩H欢@項(xiàng)工作似乎沒有任何明確的顯示告訴我們,它可能在這點(diǎn)上得到改善。
總的來(lái)說,這是一項(xiàng)令人印象深刻的工程設(shè)計(jì)和重要的驗(yàn)證,我們可以將碳納米管與我們現(xiàn)有的芯片制造工藝以及處理器運(yùn)行所需的其他電子元件集成在一起。但在解決阻礙碳納米管充分發(fā)揮其潛力的問題方面,它還并沒有走得太遠(yuǎn),商業(yè)化之路更是漫漫。根據(jù)MIT的報(bào)道,團(tuán)隊(duì)的下一步目標(biāo)是將芯片推向現(xiàn)實(shí)世界。為了達(dá)到這個(gè)目的,他們已經(jīng)通過美國(guó)DARPA的一個(gè)項(xiàng)目將技術(shù)應(yīng)用到了硅芯片代工廠中,踐行研究。
在硅制微處理器中,摩爾定律——即處理器的速度和功率幾乎每?jī)赡攴环@個(gè)規(guī)律,一直被證明會(huì)發(fā)生,如今RV16X-NANO的誕生會(huì)成為撬動(dòng)這一基點(diǎn)的“大殺器”嗎?我們拭目以待。
關(guān)鍵詞: CNT計(jì)算機(jī)芯片 CNT晶體管