英特爾確認其 Sapphire Rapids 系列處理器將于 2021 年推出，將支持 DDR5 內(nèi)存和 PCIe 5 0，并采用 CXL 1 1 連接，是 "下一代 " 數(shù)據(jù)中心芯片。IT之家了解到，英特爾計劃在今年晚些時候發(fā)布 OneAPI 以統(tǒng)一

據(jù)外媒 adoredtv 報道，英特爾即將推出的 Sapphire Rapids 系列服務(wù)器處理器基于 10nm+ 工藝、采用 MCM 設(shè)計，將具有最高 56 個核心，支持 4 路并聯(lián)，支持 HBM2，TDP 最高可達 400 瓦。

英特爾確認其 Sapphire Rapids 系列處理器將于 2021 年推出，將支持 DDR5 內(nèi)存和 PCIe 5.0，并采用 CXL 1.1 連接，是 "下一代" 數(shù)據(jù)中心芯片。

IT之家了解到，英特爾計劃在今年晚些時候發(fā)布 OneAPI 以統(tǒng)一其數(shù)據(jù)中心生態(tài)系統(tǒng)。

Sapphire Rapids 系列處理器將采用 Golden Cove 核心，最高 56 核，但 adoredtv 稱英特爾可能屏蔽了 4 個內(nèi)核以提高收益。

除 PCIe 5.0 和 DDR5 外，Sapphire Rapids 系列處理器將提供 80 條 PCIe 通道，支持 CXL，支持高達 4800 MHz 的 DDR5 內(nèi)存，每顆 CPU 可提供 8 個內(nèi)存通道，支持傲騰內(nèi)存。

其他方面，Sapphire Rapids 系列處理器將采用 MCM 設(shè)計，單片擁有 14/15 個內(nèi)核，并將支持 HBM2，將提供 4 個 HBM2e 堆棧，最大內(nèi)存可達 64 GB(4×16GB)，堆?？値捒蛇_ 1 TB/s。

根據(jù)外媒的消息來源，HBM2 和 DDR5 將能夠在平面、2LM 緩存和混合模式下協(xié)同工作。

對于 TDP，外媒表示 Sapphire Rapids 系列處理器可達 300 和 400 瓦，作為對比，AMD EPYC 7H12 上限為 280W。

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